ABS10-T REG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 60 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
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芯片技术资料
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ABS10A-13
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 35 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10B-13
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 1.5 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 50 A、最小工作温度 - 55 C，采用 SOPA-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10H
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10HREG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Single Phase Bridge、正向电流（If） 0.4 A、峰值反向电压 1000 V、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 30 A、最小工作温度 - 55 C，采用 ABS-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10HRGG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10M-13
Diodes Incorporated
主要参数包括组装国家或地区 中国、原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10TM
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Bridge RectifiersABS10_HF
Diodes Incorporated
主要参数包括原产国家或地区 中国。
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