INA821ID
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、放大器类型 Precision、增益带宽积（GBP） 4.7 MHz，采用 SOIC-8 封装。
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INA821IDGKR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、放大器类型 Precision Instrumentation Amplifier、输入类型 Differential，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA821IDGKT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、放大器类型 Precision Instrumentation Amplifier、输入类型 Differential，采用 VSSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA821IDR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、放大器类型 Precision、增益带宽积（GBP） 4.7 MHz，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA821IDRG4
Texas Instruments
主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、湿敏性 是。
半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA821IDRGR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 4.7 MHz、压摆率（SR） 2 V/us，采用 SON-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersINA821IDRGT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、每通道输出电流 20 mA、3 dB 带宽 4.7 MHz、压摆率（SR） 2 V/us，采用 SON-8 封装。
半导体 > Amplifier ICs > Instrumentation AmplifiersSURA8210T3G
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 100 V、正向电流（If） 2 A、正向电压（Vf） 940 V、最大浪涌电流 50 A、反向电流（Ir） 2 uA，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSURA8215T3G
ON Semiconductor
主要参数包括反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 950 mV、最大浪涌电流 40 A、反向电流（Ir） 2 uA，采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersSURA8215T3G-VF01
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 150 V、正向电流（If） 2 A、配置 Single、正向电压（Vf） 0.95 V、最大浪涌电流 40 A，采用 SMA-2 封装。
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