原型号
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Allegro MicroSystems
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- A81805KESJSRAllegro MicroSystems第三方标注：厂商推荐
搜索结果
原厂资料
6 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SURA8120T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SURA8140T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SURA8160T3G | onsemi |
| 2021-07-07 | 查看资料 |
| SBRA8160T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| KSA812YMTF | onsemi |
| 2019-07-16 | 查看资料 |
| INA118P | Texas Instruments |
| 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ANV31A81ASK66 T
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A81WSC66 R
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A81WSC66 T
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A81WSK66 R
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A81WSK66 T
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 256 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 32 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMCA81
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA81-1
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA81-2
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierCA81-3
MACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierINA818ID
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 36 V、电源电压（最小值） 4.5 V、3 dB 带宽 2 MHz、压摆率（SR） 900 mV/us、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Instrumentation Amplifiers