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Torex Semiconductor Ltd
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Torex Semiconductor Ltd
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技术资料参考
芯片技术资料
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ANV31A61ASK66 R
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A61ASK66 T
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A61WSC66 R
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A61WSC66 T
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A61WSK66 R
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMANV31A61WSK66 T
Anvo-Systems
主要参数包括存储容量 64 kbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 2.7 V、接口类型 SPI、存储组织结构 8 k x 8、数据总线宽度 8 位，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMBA6161F-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 3～16 V、输出电压 30～35 V、开关频率 100 kHz、输出类型 Adjustable、输出数 1 Output、输入电压 3～16 V，采用 SOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersBA6162F-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括电源电压（最大值） 7 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Open Drain、阈值电压 4.2 V、监控输入数 1 Input、手动复位 No Manual Reset，采用 SOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsBGA6130,118
NXP Semiconductors
主要参数包括工作电源电压 3.6 V、工作频率 400 MHz to 2.7 GHz、类型 High Efficiency Amplifier、1 dB 压缩点（P1dB） 29 dBm、增益 14 dB、噪声系数（NF） 4 dB，采用 HVSON-8 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierBGA614H6327XTSA1
Infineon Technologies
主要参数包括型号别名 614 BGA BGA614H6327XT H6327 SP000753512、单件重量 0.000226 oz，采用 SOT-343-4 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier