1SMA5918BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.1 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
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1SMA5918BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 4 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5919BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、稳压管电流 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 2 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1SMA5919BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 5.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 2.5 uA、稳压管阻抗（Zz） 2 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesBA591,115
NXP Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括频率范围 100 MHz、类型 Band Switching Diode、产品 Band Switching Diodes、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBA591,135
NXP Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括频率范围 100 MHz、类型 Band Switching Diode、产品 Band Switching Diodes、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V，采用 SOD-323 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, SwitchingBA5912BFP-E2
ROHM Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 35 C to + 85 C、类型 Power Driver、最小工作温度 - 35 C、最大工作温度 + 85 C、型号别名 BA5912BFP。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversBA5916FP-YE2
ROHM Semiconductor
主要参数包括工作电源电压 4.3～6.6 V、工作温度范围 - 35 C to + 85 C、类型 BTL Driver、产品 Fan / Motor Controllers / Drivers、最小工作温度 - 35 C、最大工作温度 + 85 C，采用 HSOP-25 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & DriversSZ1SMA5913BT3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 1.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesSZ1SMA5913BT3G
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 50 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 SMA-2 封装。
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