5P1105A514NLGI8
IDT
主要参数包括电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 3.135 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、输入类型 Crystal, HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL、输出类型 HCSL, LVCMOS, LVDS, LVPECL，采用 VFQFPN-24 封装。
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5P49V5913A514NLGI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5914A514NLGI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V5923A514NLGI
IDT
主要参数包括商品名称 VersaClock。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V6901A514NLGI
IDT
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、类型 Programmable Clock Generators，采用 VFQFPN-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support Products5P49V6901A514NLGI8
IDT
主要参数包括工作电源电压 1.8 V, 2.5 V, 3.3 V、电源电压（最大值） 3.465 V、电源电压（最小值） 1.71 V、最大输入频率 350 MHz、最大输出频率 350 MHz、类型 Programmable Clock Generators，采用 VFQFPN-24 封装。
半导体 > 集成电路 > Clock & Timer ICs > Clock Generators & Support ProductsBQ2013HSN-A514
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 4.25 V、电池类型 Lead Acid, NiCd, NiMH、类型 Gas Gauge、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、容量 2000 mAh to 15000 mAh，采用 SOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementBQ2013HSN-A514G4
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 4.25 V、电池类型 Lead Acid, NiCd, NiMH、类型 Gas Gauge、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、容量 2000 mAh to 15000 mAh，采用 SOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementBQ2013HSN-A514TR
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 4.25 V、电池类型 Lead Acid, NiCd, NiMH、类型 Gas Gauge、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C、容量 2000 mAh to 15000 mAh，采用 SOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery ManagementBQ2013HSN-A514TRG4
Texas Instruments
主要参数包括工作电源电压 4.25 V、电池类型 Lead Acid, NiCd, NiMH、类型 Gas Gauge、产品 Fuel Gauges、最小工作温度 0 C、最大工作温度 + 70 C，采用 SOP-16 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Battery Management