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Lattice Semiconductor Corporation
- ATF1504AS-10AU44Microchip Technology相似型号
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技术资料参考
芯片技术资料
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93AA56AT-I/MNY
Microchip Technology
主要参数包括存储容量 2 kbit、存储组织结构 256 x 8，采用 TDFN-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56AT-I/MS
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56AT-I/OT
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOT-23-6 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56AT-I/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56AT-I/ST
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 1 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 TSSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56AX-I/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56AXT-I/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56B-I/MS
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56B-I/P
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 PDIP-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM93AA56B-I/SN
Microchip Technology
主要参数包括最大时钟频率 2 MHz、存储容量 2 kbit、电源电压（最小值） 1.8 V、电源电压（最大值） 5.5 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、接口类型 Serial, 3-Wire, Microwire，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > Memory ICs > EEPROM