7130LA55FB
IDT
主要参数包括高度 2.2 mm、长度 19 mm、宽度 19 mm、型号别名 7130 IDT7130LA55FB，采用 FPACK-48 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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7130LA55L48B
IDT
主要参数包括高度 1.78 mm、长度 14.2 mm、宽度 14.22 mm、型号别名 7130 IDT7130LA55L48B，采用 LCC-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130LA55PDGI
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 PDIP-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130SA55C
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130SA55CB
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM7130SA55L48B
IDT
主要参数包括存储容量 8 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous，采用 LCC-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71321LA55PPGI
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 16 位、存储器类型 SRAM、类型 High Speed Low Power Dual Port Static RAM，采用 TQFP-52 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71321LA55PPGI
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、数据速率 16 位、存储器类型 SRAM，采用 TQFP-52 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71321LA55PPGI8
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、数据速率 16 位、存储器类型 SRAM、类型 High Speed Low Power Dual Port Static RAM，采用 TQFP-52 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM71321LA55PPGI8
Renesas Electronics
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 4.5 V、接口类型 Parallel、数据速率 16 位、存储器类型 SRAM，采用 TQFP-52 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAM