7133LA45J
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
26 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR30A45CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| UX31451001 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CT | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR8A45SP5-13-2169 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| SBR20A45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| KA4558 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA4558DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| ADA4505-1ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-1ARJZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-2ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-4ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| CG7956AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG7956AAT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG8084AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| STPS1045HR | STMicroelectronics |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
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Analog Devices Inc.
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IDT
主要参数包括存储容量 16 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 CDIP-24 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMIDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMIDT
主要参数包括存储容量 32 kbit、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 4.5 V、接口类型 Parallel、存储器类型 SDR、类型 Asynchronous,采用 PGA-68 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMIDT
主要参数包括高度 3.3 mm、长度 61.72 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7134 IDT7134LA45CB,采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMIDT
主要参数包括高度 3.3 mm、长度 61.72 mm、宽度 15.24 mm、型号别名 7134 IDT7134SA45CB,采用 CDIP-SB-48 封装。
半导体 > Memory ICs > SRAMAnalog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出类型 Rail to Rail Input/Output、类型 General Purpose Amplifier,采用 LFCSP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersAnalog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出类型 Rail to Rail Input/Output、类型 General Purpose Amplifier,采用 LFCSP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersAnalog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、双电源电压 1.35~2.75 V、最大双电源电压 2.75 V、最小双电源电压 1.35 V,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersAnalog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出类型 Rail to Rail Input/Output、类型 General Purpose Amplifier,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersAnalog Devices
主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 3 V, 5 V、输出类型 Rail to Rail Input/Output、类型 General Purpose Amplifier,采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers