INA211BIRSWT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Sense、增益带宽积（GBP） 7 kHz、共模电压（Vcm） - 300 mV to 26 V，采用 UQFN-10 封装。
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芯片技术资料
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INA211BQDCKRQ1
Texas Instruments
主要参数包括认证等级 AEC-Q100、湿敏性 是、单件重量 0.000250 oz，采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA211CIDCKR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Sense、增益带宽积（GBP） 7 kHz、共模电压（Vcm） - 0.1 V to 26 V，采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA211CIDCKT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Sense、增益带宽积（GBP） 7 kHz、共模电压（Vcm） - 0.1 V to 26 V，采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA211CIRSWR
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 2.7 V、增益带宽积（GBP） 7 kHz、共模电压（Vcm） 12 V、共模抑制比（CMRR） 140 dB，采用 UQFN-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA211CIRSWRG4
Texas Instruments
Current Sense Amplifiers 26V bi-directional h igh-precision curr
半导体 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA211CIRSWT
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current Sense、增益带宽积（GBP） 7 kHz、共模电压（Vcm） - 0.1 V to 26 V，采用 UQFN-10 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersINA211CQDCKRQ1
Texas Instruments
主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 26 V、电源电压（最小值） 2.7 V、放大器类型 Current-Shunt Monitor、增益带宽积（GBP） 7 kHz、共模电压（Vcm） - 0.1 V to 26 V，采用 SC70-6 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Current Sense AmplifiersIXD1504A2117R-G
ZiLOG
该型号为低压差线性稳压器（LDO）。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage RegulatorsIXD1504A2119R-G
ZiLOG
该型号为低压差线性稳压器（LDO）。
半导体 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Linear Voltage Regulators