APT8024JLL
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、类型 MOSFET、晶体管极性 N-Channel、连续漏极电流（Id） 29 A、漏源导通电阻（Rds On） 240 mOhms，采用 SOT-227-4 封装。
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技术资料参考
芯片技术资料
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APT8024LFLLG
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.352740 oz，采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETAPT8024LFLLG
Microchip Technology
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.352740 oz，采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsAPT8024LVRG
Microchip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCM8065802483201S R2FX
Intel
主要参数包括最大时钟频率 3.6 GHz、存储容量 32 GB、存储通道数 2 个通道、PCI Express 通道数 16 Lane、工作电源电压 1.5 V、睿频频率（最大值） 3.6 GHz，采用 FCLGA-1150 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsCM8065802483301S R2AG
Intel
主要参数包括最大时钟频率 3.3 GHz、存储容量 32 GB、存储通道数 2 个通道、PCI Express 通道数 16 Lane、工作电源电压 1.5 V、睿频频率（最大值） 3.7 GHz，采用 FCLGA-1151 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsDS8024-RJX+
Maxim Integrated
主要参数包括工作电源电压 2.7～6 V、类型 Smart Card Interface、工作电源电流 500 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、耗散功率（Pd） 1117.3 mW，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - SpecializedDS8024-RJX+
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为接口集成电路，主要参数包括电源电压（最小值） 2.7 V、电源电压（最大值） 6 V、工作电源电流 500 uA、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 85 C、耗散功率（Pd） 1.1173 W，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > Interface ICs > Smart Card Interface ICsDS8024-RJX+T&R
Maxim Integrated
主要参数包括型号别名 90-08024+TJX DS8024。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > Interface - SpecializedDS8024-RJX+T&R
Analog Devices / Maxim Integrated
该型号为接口集成电路，主要参数包括原产国家或地区 马来西亚、产品 Smart Card Interface ICs、型号别名 DS8024 90-08024+TJX，采用 TSSOP-28 封装。
半导体 > Interface ICs > Smart Card Interface ICs