AD8014ARZ-REEL7
Analog Devices
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 4.5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 2.25 V、工作电源电压 4.5~12 V,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers技术资料参考
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Analog Devices
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 4.5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 2.25 V、工作电源电压 4.5~12 V,采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational AmplifiersMicrochip Technology
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMicrochip / Microsemi
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMicrochip Technology
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 菲律宾。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMicrochip / Microsemi
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.352740 oz,采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETMicrochip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 800 V、连续漏极电流(Id) 52 A、漏源导通电阻(Rds On) 160 mOhms,采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsMicrochip Technology
主要参数包括技术 Si、单件重量 0.352740 oz,采用 TO-264-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIntel
主要参数包括最大时钟频率 1.5 GHz、存储容量 32 GB、存储通道数 2 个通道、接口类型 FDI、睿频频率(最大值) 2 GHz、英特尔超线程技术 With HT Technology,采用 FCBGA-1023 封装。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsCypress Semiconductor
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 GPIF, I2C, USART、速度 High Speed、最小工作温度 0 C,采用 TQFP-100 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface ICCypress Semiconductor
该型号为接口集成电路,主要参数包括电源电压(最小值) 3 V、电源电压(最大值) 3.6 V、工作电源电压 3.3 V、接口类型 GPIF, I2C, USART、速度 High Speed、最小工作温度 0 C,采用 TQFP-128 封装。
半导体 > 集成电路 > Interface ICs > USB Interface IC