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芯片技术资料

265 条型号记录

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5962-89518012A

Analog Devices

该型号为模数转换器(ADC),主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 5 V、接口类型 Parallel、输入类型 Single-Ended、基准类型 External、类型 S/H ADC,采用 LCC-20 封装。

半导体 > 集成电路 > Data Converter ICs > Analog to Digital Converters - ADC
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6PS18012E4FG35689

Infineon Technologies

主要参数包括型号别名 6PS18012E4FG35689NWSA1 SP000885246。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > IGBT Modules
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A2C53380129

Cypress Semiconductor

主要参数包括存储器类型 NOR。

半导体 > Memory ICs > NOR Flash
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AD8012ARMZ

Analog Devices

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 1.5~6 V、最大双电源电压 6 V、最小双电源电压 1.5 V,采用 MSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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AD8012ARMZ-REEL7

Analog Devices

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V,采用 MSOP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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AD8012ARZ

Analog Devices

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 1.5~6 V、最大双电源电压 6 V、最小双电源电压 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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AD8012ARZ-REEL

Analog Devices

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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AD8012ARZ-REEL7

Analog Devices

该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压(最大值) 12 V、电源电压(最小值) 3 V、双电源电压 +/- 3 V, +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 1.5 V,采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > High Speed Operational Amplifiers
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AV8063801276200S R0VR

Intel

主要参数包括最大时钟频率 2.2 GHz、存储容量 16 GB、存储通道数 2 个通道、PCI Express 通道数 16 Lane、英特尔超线程技术 Without HT Technology、英特尔虚拟化技术(VT) With VT,采用 FCBGA-1023 封装。

半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing Units
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BQ298012RUGR

Texas Instruments

主要参数包括工作电源电压 1.5~5.5 V、输出电压 4.3 V、电池类型 Lithium-ion, Lithium Polymer、产品 Battery Protection、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 85 C,采用 X2QFN-8 封装。

半导体 > Power Management ICs > Battery Management
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