原型号
查看详情 · 6 条候选IS49NLC36800-25EWBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
- MT49H8M36BM-TI:B TRMicron Technology Inc.形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 2 条候选MT49H8M36BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IS49NLC36800-25EWBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号
查看详情 · 2 条候选MT49H8M36BM-33 IT:B
Micron Technology Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IS49NLC36800-25WBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选MT49H8M36BM-TI:B TR
Micron Technology Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IS49NLC36800-25EWBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
原型号
查看详情 · 1 条候选MT49H8M36SJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- IS49NLC36800-25WBLISSI, Integrated Silicon Solution Inc相似型号
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
AD8002ARMZ-REEL7
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 6 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 3 V，采用 MSOP-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsAD8002ARZ
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 6 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 3 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsAD8002ARZ-R7
Analog Devices
该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 2 个通道、电源电压（最大值） 12 V、电源电压（最小值） 6 V、双电源电压 +/- 5 V、最大双电源电压 +/- 6 V、最小双电源电压 +/- 3 V，采用 SOIC-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsCD8069504198002 SRF9A
Intel
主要参数包括最大时钟频率 2.4 GHz、存储容量 1 TB、存储通道数 6 个通道、PCI Express 通道数 48 Lane、睿频频率（最大值） 3.9 GHz、英特尔超线程技术 With HT Technology。
半导体 > 集成电路 > 嵌入式处理器与控制器 > CPU - Central Processing UnitsCMLDM8002AG TR
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、型号别名 CMLDM8002AG PBFREE TR、单件重量 0.000106 oz，采用 SOT-563 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETCMLDM8002AG TR PBFREE
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 中国台湾、单件重量 0.000106 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsCMLDM8002AJ TR
Central Semiconductor
主要参数包括技术 Si、型号别名 CMLDM8002AJ PBFREE TR、单件重量 0.000106 oz，采用 SOT-563 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETEPC8002
EPC
该型号为氮化镓场效应晶体管，主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓（GaN）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 65 V、连续漏极电流（Id） 2 A，采用 LGA-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > 氮化镓场效应晶体管F280021PTQR
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 24 kB、ADC 分辨率 2 x 12 bit、DAC 分辨率 12 位、输入／输出数 16 个输入／输出，采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCUF280021PTSR
Texas Instruments
该型号为32 位微控制器（MCU），主要参数包括最大时钟频率 100 MHz、程序存储容量 32 kB、数据 RAM 容量 24 kB、ADC 分辨率 2 x 12 bit、DAC 分辨率 12 位、输入／输出数 16 个输入／输出，采用 LQFP-48 封装。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Microcontrollers - MCU > 32-bit Microcontrollers - MCU