IXFP14N55X2
IXYS
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 韩国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETs搜索结果
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IXFP14N55X2M
IXYS
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 韩国。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsIXFX44N55Q
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 44 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETIXTQ24N55Q
IXYS
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 550 V、连续漏极电流（Id） 24 A，采用 TO-3P-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETR1224N552G-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersR1224N552H-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching ControllersR1224N552M-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > Switching Controllers