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ABLIC Inc.
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
IXTX1R4N450HV
IXYS
主要参数包括类型 High Voltage、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 4500 V、连续漏极电流（Id） 1.4A、漏源导通电阻（Rds On） 40 Ω、栅源阈值电压（Vgs th） 4 V，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETR3114N451A-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsR3114N451C-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits