JANTX1N976B-1
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 400 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 93 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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JANTX1N976B-1/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 8.8 mA、稳压管阻抗（Zz） 93 Ω，采用 DO-204AH-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 8.8 mA、稳压管阻抗（Zz） 93 Ω，采用 DO-213AA-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 400 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 93 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 8.8 mA、稳压管阻抗（Zz） 93 Ω，采用 DO-204AH-2 封装。
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该型号为二极管。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 43 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.095 %/C、稳压管电流 8.8 mA、稳压管阻抗（Zz） 93 Ω，采用 DO-213AA-2 封装。
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