1N747A-1/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.065 %/C、稳压管电流 110 mA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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1N747A-1/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.065 %/C、稳压管电流 110 mA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，采用 DO-213AA-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括直径 1.7 mm、长度 3.7 mm、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、单件重量 0.001270 oz，采用 DO-213AB-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.065 %/C、稳压管电流 110 mA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω，采用 DO-213AA-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.065 %/C、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 3.6 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 - 0.065 %/C、稳压管电流 110 mA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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