1N5818 TR
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、型号别名 1N5818 PBFREE TR，采用 DO-41 封装。
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芯片技术资料
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1N5818 TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、原产国家或地区 美国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818 TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 330 mV，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818-1
Microchip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818-1/TR
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 600 mV，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818-AP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国、单件重量 0.011640 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818-B
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、类型 Schottky Barrier Rectifier、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818-E3/53
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 875 mV，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818-E3/54
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、配置 Single、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V、正向电压（Vf） 875 mV，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers1N5818-E3/73
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 125 C、技术 Si、类型 Schottky Diode、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 30 V，采用 DO-204AL 封装。
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