1N5407G-T
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD 封装。
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芯片技术资料
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1N5407G-T
Rectron
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 150 A，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GHA0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GHR0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GHR0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GP-E3/54
Vishay / Siliconix
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GP-E3/54
Vishay Semiconductors
主要参数包括产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GP-E3/73
Vishay / Siliconix
主要参数包括产品 Rectifiers、单件重量 0.038801 oz，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GP-E3/73
Vishay Semiconductors
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 125 A，采用 DO-201AD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N5407GP-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.1 V、最大浪涌电流 200 A，采用 DO-201AD 封装。
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