1N5239B TR PBFREE
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-35 封装。
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1N5239B-B
Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.068 %/C、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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Rectron
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.068 %/C、稳压管电流 10 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 DO-35-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5239B-TAP
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.068 %/K、稳压管电流 20 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 20 %、电压温度系数 0.068 %/C、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-35-2 封装。
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Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、电压温度系数 0.068 %/K、稳压管电流 20 mA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω，采用 DO-35-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、稳压管电流 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-204AH-2 封装。
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Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 9.1 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 3 uA、稳压管阻抗（Zz） 10 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-204AH-2 封装。
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Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 0.5 W、电压容差 5 %、电压温度系数 0.055 %/C、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-7-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N5239BE3
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.3 V、耗散功率（Pd） 500 mW、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 5 uA、稳压管阻抗（Zz） 22 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-7-2 封装。
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