1N4933G-T
Diodes Incorporated
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
1N4933G-T
Rectron
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 50 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933GH
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers，采用 DO-41 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933GHR0
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933GHR0G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933GP-BP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers1N4933GP-E3/54
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4933GP-E3/73
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括类型 Switching Diode、产品 Switching Diodes、峰值反向电压 50 V、最大浪涌电流 30 A、正向电流（If） 1 A、配置 Single，采用 DO-204AL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4933GP-TP
Micro Commercial Components (MCC)
主要参数包括原产国家或地区 中国、产品 Rectifiers、单件重量 0.011640 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers