1N4732A TR TIN/LEAD
Central Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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1N4732A,113
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732A,133
Nexperia
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732A-T50A
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括端接方式 Axial、型号别名 1N4732A_T50A、单件重量 0.008642 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732A-T50A
onsemi
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732A-TAP
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732A-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41G-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732A-TR
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1.3 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最大工作温度 + 175 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732AG
Microchip Technology
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、最大反向漏电流（Ir） 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes1N4732ATR
ON Semiconductor / Fairchild
该型号为二极管，主要参数包括稳压电压（Vz） 4.7 V、耗散功率（Pd） 1 W、电压容差 5 %、稳压管电流 10 uA、稳压管阻抗（Zz） 8 Ω、最小工作温度 - 65 C，采用 DO-41-2 封装。
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