1N4448WS-E3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括单件重量 0.000152 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
1N4448WS-G3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N4448WS-V-G-08、单件重量 0.000152 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4448WS-G3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括型号别名 1N4448WS-V-G-18、单件重量 0.000152 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4448WS-HE3-08
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000152 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4448WS-HE3-18
Vishay Semiconductors
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000152 oz。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4448WS-HE3_A-08
Vishay
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 100 V、最大浪涌电流 350 mA、正向电流（If） 100 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N4448WSF-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括产品 Switching Diodes、峰值反向电压 75 V、最大浪涌电流 4 A、正向电流（If） 500 mA、配置 Single、恢复时间 4 ns，采用 SOD-323-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4448WSFQ-7
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、高度 0.75 mm、长度 1.7 mm、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、宽度 1.25 mm。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching1N4448WSGW
Diotec Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括原产国家或地区 中国。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Small Signal Switching Diodes1N4448WSQ-7-F
Diodes Incorporated
该型号为二极管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Diodes - General Purpose, Power, Switching