原型号
查看详情 · 1 条候选R1121N261B-TR-FE
Nisshinbo Micro Devices Inc.
- R1111N261B-TR-FENisshinbo Micro Devices Inc.参数相近
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技术资料参考
芯片技术资料
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R3111N261C-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsR3111N262A-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
主要参数包括电源电压（最大值） 10 V、电源电压（最小值） 700 mV、类型 Voltage Supervisory、输出类型 CMOS, Open Drain、阈值电压 2.6 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsR3111N262C-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory CircuitsRP101N261B-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsRP101N261D-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsRP111N261D-TR-FE
Ricoh Electronic Devices Company
该型号为低压差线性稳压器（LDO），采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage RegulatorsSTM1061N26WX6F
STMicroelectronics
主要参数包括电源电压（最大值） 6 V、电源电压（最小值） 0.7 V、类型 Voltage Detectors、输出类型 Active Low, Open Drain、阈值电压 2.6 V、监控输入数 1 Input，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Supervisory Circuits