IM4G16D3FDBG-107
Intelligent Memory Ltd.
- AS4C256M16D3LC-10BCNAlliance Memory, Inc.参数相近
技术资料参考
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Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 300 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
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主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 400 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
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主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 400 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.3 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 600 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
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主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 800 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
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主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 800 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 100 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 100 V、正向电流(If) 2 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1.7 V、最大浪涌电流 50 A,采用 SMB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersTaiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压(Vr) 50 V、正向电流(If) 3 A、配置 Single、正向电压(Vf) 1 V、最大浪涌电流 100 A,采用 SMB-2 封装。
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