BC817W-QX
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 1 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
ABC817-16-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTABC817-25-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTABC817-40-HF
Comchip Technology
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBC817-16LT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBC817-16LT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 500 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTNSVBC817-40WT1G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000212 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedNSVBC817-40WT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括原产国家或地区 中国、认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000212 oz。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital TransistorsSBC817-16LT3G
ON Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、连续集电极电流 0.5 A，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - Pre-BiasedSBC817-16LT3G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括最大工作频率 100 MHz、配置 Single、晶体管极性 NPN、最小直流电流增益（hfe） 100、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、连续集电极电流 500 mA，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Digital Transistors