原型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
搜索结果
原厂资料
13 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 7132SA35C | Renesas |
| 2023-12-05 | 查看资料 |
| KA3525A | onsemi |
| 2023-03-30 | 查看资料 |
| 7140LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7140SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 7142SA35CB | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| KA358 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358A | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358ADTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA358DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
第三方参考
来源：第三方数据源非原厂公告
原型号
查看详情 · 1 条候选7130SA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71321LA35TF8
Renesas Electronics Corporation
- 71321LA20TFG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7132LA35JI
Renesas Electronics Corporation
- 7132LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7133LA35PFI8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选7133SA35PFG8
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
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Renesas Electronics Corporation
- 7140LA25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
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查看详情 · 1 条候选71421SA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71421LA20PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选7143LA35J8
Renesas Electronics Corporation
- 7143LA20JG8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号
查看详情 · 1 条候选71V321LA35PF
Renesas Electronics Corporation
- 71V321L25PFGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MR4A16BCMA35
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMMR4A16BCMA35R
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMMR4A16BMA35
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMMR4A16BMA35R
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 16 Mbit、电源电压（最大值） 3.6 V、电源电压（最小值） 3 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 1 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > NVRAMMR5A16ACMA35
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > MRAMMR5A16ACMA35R
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > MRAMMR5A16AMA35
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > MRAMMR5A16AMA35R
Everspin Technologies
主要参数包括存储容量 32 Mbit、电源电压（最小值） 3 V、电源电压（最大值） 3.6 V、接口类型 Parallel、存储组织结构 2 M x 16、数据总线宽度 16 位，采用 BGA-48 封装。
半导体 > Memory ICs > MRAMNFVA35065L32
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、正向电压（Vf） 1.9 V、最小工作温度 - 40 C、最大工作温度 + 150 C、认证等级 AEC-Q101、产品 Rectifiers，采用 DIP-27 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNFVA35065L42
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 175 C、最小工作温度 - 40 C，采用 DIP-27 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs