MSC750SMA140SDT/RMVAO
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.4 kV、连续漏极电流（Id） 7 A，采用 TO-263-7 封装。
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MSC750SMA140SDT/RVAO
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.4 kV、连续漏极电流（Id） 7 A，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170B
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 5 A、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170B4
Microchip Technology
主要参数包括技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms、原产国家或地区 菲律宾、单件重量 0.211644 oz，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170S
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 4.4 A、漏源导通电阻（Rds On） 750 mOhms，采用 D3PAK-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170SA
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 6 A、漏源导通电阻（Rds On） 940 mOhms，采用 TO-263-7 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170SDT/R
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 TO-268-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMSC750SMA170SDT/RM
Microchip Technology
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 1.7 kV、连续漏极电流（Id） 6 A，采用 TO-268-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsP4SMA100C
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 81 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 144 V、击穿电压 90 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVSP4SMA100CA
Taiwan Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、工作电压 85.5 V、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、钳位电压 137 V、击穿电压 95 V，采用 SMA (DO-214AC) 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Transient Voltage Suppression Diodes - TVS