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原厂资料

15 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
7130SA55CMRenesas
  • 7130LA25PFGI
2023-12-05查看资料
7132SA35CRenesas
  • 7132SA55L48B
2023-12-05查看资料
7140LA55CBRenesas
  • 7140LA55L48B
2022-02-28查看资料
7140SA100CBRenesas
  • 7140SA55L48B
2022-02-28查看资料
7140SA55CBRenesas
  • 7140SA55L48B
2022-02-28查看资料
7140SA70CBRenesas
  • 7140SA55L48B
2022-02-28查看资料
7142LA55CRenesas
  • 7142LA55L48B
2022-02-28查看资料
7142LA55CBRenesas
  • 7142LA55L48B
2022-02-28查看资料
7142SA55CRenesas
  • 7142SA55L48B
2022-02-28查看资料
7142SA55CBRenesas
  • 7142SA55L48B
2022-02-28查看资料
ATA5577M133SC-DDBMicrochip
  • ATA5577M1330C-DDB
2021-10-07查看资料
FSA551UCXonsemi
  • FSA553UCX
2021-10-01查看资料
NE5534ADR2Gonsemi
  • SA5534ADR2G
2021-07-07查看资料
NE5534DR2Gonsemi
  • SA5534ADR2G
2021-07-07查看资料
BCW89onsemi
  • MMBTA55LT1G
2019-07-16查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

34 个原型号
原型号

7130LA55C

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7130LA55J8/2930

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA55JG8/2930Renesas Electronics Corporation直接替代候选
原型号

7130SA55JI

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25JGIRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7130SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7130LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71321LA20JG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • 71321SA55JG8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71321LA55TFG8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 5 条候选
  • 71321LA20PFG8Renesas Electronics Corporation相似型号
原型号

71321SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71321LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

7132SA55C

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7132LA20JGRenesas Electronics Corporation第三方标注：厂商推荐
原型号

7133SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 7133LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
原型号

71342SA55PFI8

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 1 条候选
  • 71342LA25PFGI8Renesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选

技术资料参考

芯片技术资料

341 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

OPA551UAE4

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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OPA552FA/500

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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OPA552FAKTWT

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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OPA552FAKTWTG3

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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OPA552PA

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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OPA552UA

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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OPA552UA/2K5

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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P4SMA550A

Bourns

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 577.5 V、工作电压 495 V、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors
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PMSTA55,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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PMSTA55-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 50 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT
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