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341 条型号记录

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OPA551UAE4

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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OPA552FA/500

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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OPA552FAKTWT

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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OPA552FAKTWTG3

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 TO-263-7 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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OPA552PA

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 PDIP-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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OPA552UA

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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OPA552UA/2K5

Texas Instruments

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 1 个通道、双电源电压 +/- 30 V、最大双电源电压 +/- 30 V、最小双电源电压 +/- 4 V、工作电源电压 +/- 4 V to +/- 30 V、每通道输出电流 200 mA，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps

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P4SMA550A

Bourns

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 577.5 V、工作电压 495 V、最小工作温度 - 55 C，采用 DO-214AC-2 (SMA) 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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PMSTA55,115

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 4 V、最大直流集电极电流 0.5 A，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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PMSTA55-QX

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 60 V、耗散功率（Pd） 200 mW、增益带宽积（fT） 50 MHz、最小工作温度 - 65 C，采用 SOT-323 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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