AD8056AR
Analog Devices Inc.
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- OPA2614IDTexas Instruments相似型号
来源:第三方数据源非原厂公告
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Renesas Electronics Corporation
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Texas Instruments
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Microchip Technology
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Texas Instruments
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
Panasonic
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓(GaN)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 13 A、漏源导通电阻(Rds On) 190 mOhms,采用 DFN-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETDiodes Incorporated
该型号为集成电路。
半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICsNexperia
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 6.8 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压容差 3 %、电压温度系数 3.4 mV/K、稳压管电流 10 nA、稳压管阻抗(Zz) 100 Ω,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesNexperia
该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 6.8 V、耗散功率(Pd) 180 mW、电压容差 3 %、最大反向漏电流(Ir) 10 nA、稳压管阻抗(Zz) 100 Ω、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener DiodesQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7~14 GHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 Die 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7~14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7~14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 QFN-16 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 8.5~10.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 56 mA,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 8.5~10.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 56 mA,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierQorvo
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 8~12 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 105 mA,采用 QFN-24 封装。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier