ChipSourceHub 美芯科技

搜索结果

原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
SF20JG_HF-A26Diodes Incorporated
  • SF20JG_HF
2025-07-23查看资料
PT8A2648WEDiodes Incorporated
  • PT8A2648WEX
2023-01-31查看资料
FSA2267L10Xonsemi
  • TS5A26542
2022-06-30查看资料
FSA266K8Xonsemi
  • SN74CB3Q3306A
2022-06-30查看资料
MMT05A260T3Gonsemi
  • TISP4320M3AJ
查看资料

第三方参考

来源:第三方数据源非原厂公告

47 个原型号
原型号

AD8056AR

Analog Devices Inc.

查看详情 · 9 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8056ARZ

Analog Devices Inc.

查看详情 · 7 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8058ARZ

Analog Devices Inc.

查看详情 · 14 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

AD8072JRZ

Analog Devices Inc.

查看详情 · 11 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号

EL1516ISZ

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 16 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL2250CS-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 8 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2614IDTexas Instruments相似型号
原型号

EL5263ISZ-T7

Renesas Electronics Corporation

查看详情 · 18 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2674IDRTexas Instruments相似型号
原型号

LMH6626MAX/NOPB

Texas Instruments

查看详情 · 13 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA2690IDTexas Instruments相似型号
原型号

MIC5306-2.6YD5-TR

Microchip Technology

查看详情 · 12 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • S-1333A26-M5T1U3ABLIC Inc.相似型号
原型号

OPA2674IDRG4

Texas Instruments

查看详情 · 16 条候选
  • OPA2674IDRTexas Instruments第三方标注:厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

328 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

PGA26E19BA

Panasonic

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 氮化镓(GaN)、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压(Vds) 600 V、连续漏极电流(Id) 13 A、漏源导通电阻(Rds On) 190 mOhms,采用 DFN-8 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET
查看技术资料

PI3A268CZMEX

Diodes Incorporated

该型号为集成电路。

半导体 > 集成电路 > Switch ICs > Analog Switch ICs
查看技术资料

PLVA2668A,215

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 6.8 V、耗散功率(Pd) 250 mW、电压容差 3 %、电压温度系数 3.4 mV/K、稳压管电流 10 nA、稳压管阻抗(Zz) 100 Ω,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

PLVA2668A-QR

Nexperia

该型号为二极管,主要参数包括稳压电压(Vz) 6.8 V、耗散功率(Pd) 180 mW、电压容差 3 %、最大反向漏电流(Ir) 10 nA、稳压管阻抗(Zz) 100 Ω、最大工作温度 + 150 C,采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Zener Diodes
查看技术资料

QPA2609D

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7~14 GHz、技术 硅、类型 Low Noise Amplifier、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 Die 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

QPA2609SR

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7~14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 QFN-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

QPA2609TR7

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 3.5 V、工作频率 7~14 GHz、技术 GaAs、类型 Low Noise、1 dB 压缩点(P1dB) 18 dBm,采用 QFN-16 封装。

半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

QPA2610

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 8.5~10.5 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 56 mA,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

QPA2610TR7

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 20 V、工作频率 8.5~10.5 GHz、技术 氮化镓(GaN)、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 56 mA,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料

QPA2611

Qorvo

主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 24 V、工作频率 8~12 GHz、技术 GaN SiC、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 105 mA,采用 QFN-24 封装。

半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier
查看技术资料