IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
技术资料参考
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Mini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 1.4 A。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.9 A。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 2.9 A。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3.9 A。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 10 MHz to 2 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3.9 A。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 20 MHz to 2.7 GHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3.9 A。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMini-Circuits
主要参数包括通道数 1 个通道、工作电源电压 28 V、工作频率 2.7~20 MHz、技术 Si、类型 Power Amplifiers、工作电源电流 3.9 A。
半导体 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF Amplifier