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来源:第三方数据源非原厂公告

3 个原型号
原型号

IM2G04D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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  • IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
原型号

IM2G08D2DBBG-25

Intelligent Memory Ltd.

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原型号

UPD70F3380M2GJA-GAE-AX

Renesas Electronics Corporation

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  • UPD70F3380ZM2GJA-GAE-AXRenesas Electronics Corporation参数相近

技术资料参考

芯片技术资料

1,757 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

SS110HM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.8 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 SMA-2 封装。

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SS110LHM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 100 V、正向电压(Vf) 0.8 V、正向浪涌电流(Ifsm) 30 A,采用 SMA-2 封装。

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SS115 M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 150 V、正向电压(Vf) 950 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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SS115HM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 150 V、正向电压(Vf) 950 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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SS12 M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 20 V、正向电压(Vf) 0.5 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 SMA-2 封装。

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SS120 M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 200 V、正向电压(Vf) 950 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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SS120HM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 200 V、正向电压(Vf) 950 mV、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 DO-214AC-2 封装。

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SS12HM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 20 V、正向电压(Vf) 0.5 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 SMA-2 封装。

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SS13 M2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 0.5 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 SMA-2 封装。

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SS13HM2G

Taiwan Semiconductor

该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 1 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 0.5 V、正向浪涌电流(Ifsm) 40 A,采用 SMA-2 封装。

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