HS1KLWHRVG
Taiwan Semiconductor
主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。
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芯片技术资料
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NRVHPRS1KFA
ON Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V at 0.8 A、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNRVHPRS1KFA
onsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 800 mA、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersNRVUS1KFA
onsemi
主要参数包括类型 Super Fast Recovery Rectifier、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SOD-123FL-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K
ON Semiconductor / Fairchild
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K
onsemi
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F2
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F2G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F3
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS1K F3G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 30 A，采用 DO-214AC-2 封装。
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