IMZA75R090M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 23 A、漏源导通电阻（Rds On） 117 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
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IMZA75R140M1HXKSA1
Infineon Technologies
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 750 V、连续漏极电流（Id） 16 A、漏源导通电阻（Rds On） 182 mOhms，采用 TO-247-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETsMAMX-007607-ELCM1H
MACOM
主要参数包括射频频率 0.5～500 MHz、最大工作频率 500 MHz、转换损耗（最大值） 8 dB、最大工作温度 + 85 C、最小工作温度 - 55 C、工作电源电流 40 mA，采用 SM-87 封装。
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF MixerMBRM1H100T3G
ON Semiconductor
该型号为二极管，主要参数包括工作温度范围 - 65 C to + 175 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流（If） 1 A、重复反向电压（Vrrm） 100 V、正向电压（Vf） 840 mV，采用 Powermite 封装。
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