原型号
查看详情 · 2 条候选621MLF
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- PI6CL10804WEXDiodes Incorporated相似型号
搜索结果
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
PM50CL1A060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM50CL1B060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM75CL1A060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM75CL1B060
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPM75CL1B120
Mitsubishi Electric
主要参数包括技术 Si。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > IGBT ModulesPSDH3060CCL1_T0_00001
Panjit
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 15 A、配置 Dual Common Cathode、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 180 A，采用 TO-247AD-3LD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersPSDH6060CCL1_T0_00001
Panjit
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 600 V、正向电流（If） 30 A、配置 Dual Common Cathode、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 230 A，采用 TO-247AD-3LD 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRW4C045BCTCL1
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 P-Channel、晶体管极性 P-Channel、漏源击穿电压（Vds） 20 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A，采用 DFN-1616-7T 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsRW4E045AJTCL1
ROHM Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 4.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 40 mOhms，采用 DFN-1616-7T 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETsVS-ST303C12CCL1
Vishay Semiconductors
SCRs Thyristors - E-PUK
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > SCRs