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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
NCG225L75NF8M1	onsemi	NCG100F475NF121	2021-10-06	查看资料
AP3771BK6TR-CG1	Diodes Incorporated	AP3771BK6TR-BG1	2019-06-28	查看资料
CG10167AA	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料
CG10167AAT	Infineon	CY62147G30-45BVXA		查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

1 个原型号

原型号

CG10150AF

Infineon Technologies

查看详情 · 1 条候选

FM24CL64B-GInfineon Technologies第三方标注：厂商推荐

技术资料参考

芯片技术资料

276 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MSMCG15CA/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 16.7 V、工作电压 15 V、钳位电压 24.4 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MSMCG160CA/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 178 V、工作电压 160 V、钳位电压 259 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MSMCG16A/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 17.8 V、工作电压 16 V、钳位电压 26 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MSMCG16AE3/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 17.8 V、工作电压 16 V、钳位电压 26 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MSMCG170A/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 189 V、工作电压 170 V、钳位电压 275 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MSMCG17A/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 18.9 V、工作电压 17 V、钳位电压 27.6 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MSMCG17AE3/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 18.9 V、工作电压 17 V、钳位电压 27.6 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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MSMCG18A/TR

Microchip / Microsemi

该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 20 V、工作电压 18 V、钳位电压 29.2 V，采用 DO-215AB-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors

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PCDH20120CCG1_T0_00601

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括配置 Dual、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 1.2 kV、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 720 A、反向电流（Ir） 1.16 uA，采用 TO-247AD-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes

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PCDH2065CCG1_T0_00601

Panjit

该型号为二极管，主要参数包括配置 Dual、正向电流（If） 10 A、重复反向电压（Vrrm） 650 V、正向电压（Vf） 1.5 V、正向浪涌电流（Ifsm） 640 A、反向电流（Ir） 1.6 uA，采用 TO-247AD-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > SiC Schottky Diodes

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