BC857CWT1G
onsemi
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SC-70-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT搜索结果
原厂资料
7 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| BC858A-7-F | Diodes Incorporated |
| 2023-02-22 | 查看资料 |
| BC858AW-7-F | Diodes Incorporated |
| 2023-02-22 | 查看资料 |
| NSVBC857CWT1G-M01 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| NSVBC857CWT1G-M02 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| SBC857BDW1T1G-M02 | onsemi |
| 2022-09-30 | 查看资料 |
| DP0150ALP4-7 | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
| DP0150ALP4-7B | Diodes Incorporated |
| 2021-03-15 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
BC857QASZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括认证等级 AEC-Q101、单件重量 0.000043 oz，采用 DFN-1010B-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857RAZ
Nexperia
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 6 V、集电极－发射极饱和电压 - 100 mV，采用 DFN-1412-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857S
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857S-13P
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Single、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857S-AQ
Diotec Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大直流集电极电流 200 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857S-TP
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 0.3 V, - 0.65 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857S-TPQ2
Micro Commercial Components (MCC)
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、集电极－基极电压（VCBO） 45 V、耗散功率（Pd） 300 mW、最小工作温度 - 55 C、最大工作温度 + 150 C、连续集电极电流 15 nA，采用 SOT-363 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857SH RFG
Taiwan Semiconductor
该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V，采用 SOT-363-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTBC857SH6327XT
Infineon Technologies
该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Dual、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、集电极－发射极饱和电压 250 mV，采用 SOT-363-6 封装。
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