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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
BC80716MTF	onsemi	BC807-16LT1G	2018-05-23	查看资料
BC80725MTF	onsemi	BC807-25LT1G	2018-05-23	查看资料

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芯片技术资料

195 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

BC807K-16-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-16R

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-16VL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-25-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-25R

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-25VL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-40-QR

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-40-QVL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 800 mW，采用 SOT-23 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-40R

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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BC807K-40VL

Nexperia

该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 45 V、集电极－基极电压（VCBO） - 50 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、集电极－发射极饱和电压 - 700 mV，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

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