7133LA45J
Renesas Electronics Corporation
- 7133LA20JGRenesas Electronics Corporation形状、安装及功能匹配候选
26 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| SBR30A45CTB-G | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| UX31451001 | Diodes Incorporated |
| 2025-06-16 | 查看资料 |
| SBR12A45SD1-T-01 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CT | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR30E45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| SBR8A45SP5-13-2169 | Diodes Incorporated |
| 2023-05-15 | 查看资料 |
| 7142LA45CM | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| SBR20A45CTB-13 | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTB | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| SBR30A45CTFP-JT | Diodes Incorporated |
| 2021-05-24 | 查看资料 |
| KA4558 | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| KA4558DTF | onsemi |
| 2019-11-04 | 查看资料 |
| ADA4505-1ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-1ARJZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-2ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| ADA4505-4ACBZ-RL | Analog Devices |
| 2018-02-23 | 查看资料 |
| CG7956AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG7956AAT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG8084AA | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AM | Infineon |
| 查看资料 | |
| CG9060AMT | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XI | Infineon |
| 查看资料 | |
| CY14B101LA-SZ45XIT | Infineon |
| 查看资料 | |
| STPS1045HR | STMicroelectronics |
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来源:第三方数据源非原厂公告
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Analog Devices Inc.
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技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
ROHM Semiconductor
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 4 V、最大双电源电压 16 V、最小双电源电压 2 V、每通道输出电流 50 mA,采用 SSOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsROHM Semiconductor
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 19 V、电源电压(最小值) 4 V、最大双电源电压 +/- 9.5 V、最小双电源电压 +/- 2 V、放大器类型 Low Noise Amplifier,采用 SOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsROHM Semiconductor
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 19 V、电源电压(最小值) 4 V、最大双电源电压 9.5 V、最小双电源电压 2 V、放大器类型 Low Noise,采用 SSOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsROHM Semiconductor
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 4 个通道、电源电压(最大值) 32 V、电源电压(最小值) 4 V、最大双电源电压 16 V、最小双电源电压 2 V、放大器类型 Low Noise,采用 SSOP-14 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsON Semiconductor
该型号为晶体管,主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V、发射极-基极电压(VEBO) 6 V、集电极-发射极饱和电压 0.6 V,采用 SC-70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTonsemi
该型号为晶体管,主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Dual、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极-发射极电压(VCEO) 45 V、集电极-基极电压(VCBO) 50 V,采用 SC-70-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTWeEn Semiconductors
主要参数包括通态有效值电流(It RMS) 45 A、非重复通态电流 495 A、额定重复断态电压(VDRM) 800 V、VDRM 下断态漏电流(IDRM) 10 uA、通态电压 1.3 V、最大维持电流(Ih) 80 mA,采用 TO3P-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Thyristors > TriacsMACOM
RF Amplifier 1-4GHz NF 4.5dB Pout 19.5dBm SMA
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMACOM
主要参数包括技术 Si、原产国家或地区 TH。
半导体 > 集成电路 > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierMicrochip Technology
该型号为二极管。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Rectifiers