82V3202NLG
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
- 8A34002E-000NLGRenesas Electronics Corporation第三方标注:厂商推荐
17 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| 8V89313NLG | Renesas |
| 2022-09-06 | 查看资料 |
| 8V89313NLG8 | Renesas |
| 2022-09-06 | 查看资料 |
| 82V32021NLG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V32021NLG/C | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V32021NLG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3202NLG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3202NLG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3390BEQG | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3390BEQG8 | Renesas |
| 2022-02-28 | 查看资料 |
| 82V3255EDG | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255EDG8 | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG-ECI | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG8 | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| 82V3255TFG8-ECI | Renesas |
| 2021-07-06 | 查看资料 |
| NRVBA340T3G | onsemi |
| 2020-02-21 | 查看资料 |
| OPA345 | Texas Instruments |
| 查看资料 |
来源:第三方数据源非原厂公告
Renesas Electronics Corporation
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Analog Devices Inc.
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Rohm Semiconductor
Rohm Semiconductor
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
Texas Instruments
命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示
技术资料参考
型号、规格和文档仅供核对,不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
onsemi
主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极-发射极电压(VCEO) 650 V、原产国家或地区 中国、最大工作温度 + 150 C、最小工作温度 - 40 C,采用 DIP-27 封装。
半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMsON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 0.45 V,采用 SMA 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersON Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 0.45 V、正向浪涌电流(Ifsm) 100 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersSTMicroelectronics
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 34 mA、技术 CMOS、放大器类型 CMOS Amplifier、输入类型 Rail to Rail,采用 Mini-SO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsSTMicroelectronics
主要参数包括通道数 2 个通道、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 18 mA、技术 CMOS、放大器类型 Zero Drift Amplifier、输入类型 Rail to Rail,采用 MiniSO-8 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision AmplifiersTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5 V、电源电压(最小值) 2.7 V、工作电源电压 2.7~5 V、技术 CMOS、放大器类型 Low Offset Voltage Amplifier,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Low Offset Voltage Amplifier,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Low Offset Voltage Amplifier,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Low Offset Voltage Amplifier,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op AmpsTexas Instruments
该型号为运算放大器,主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压(最大值) 5.5 V、电源电压(最小值) 2.5 V、工作电源电压 2.5~5.5 V、技术 CMOS、放大器类型 Low Offset Voltage Amplifier,采用 SOT-23-5 封装。
半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps