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原厂资料

5 条原型号记录

原型号制造商资料列出的替代型号公告记录日期资料
HX21333002Diodes Incorporated
  • HX2A333003
2024-06-25查看资料
KA339onsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339Aonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339ADTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料
KA339DTFonsemi
  • LM339DR2G
2019-11-04查看资料

第三方参考

来源：第三方数据源非原厂公告

115 个原型号
原型号

AD8515ARTZ-REEL

Analog Devices Inc.

查看详情 · 20 条候选

命中候选型号或品牌 · 以下仍按原型号 → 候选型号展示

  • OPA333AMDBVREPTexas Instruments相似型号
原型号

AP2121AK-3.3TRG1-1

Diodes Incorporated

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  • XC6217A332MR-GTorex Semiconductor Ltd参数相近
原型号

BA33BC0WFP-E2

Rohm Semiconductor

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  • LD29080PT33RSTMicroelectronics相似型号
原型号

BA33BC0WT-V5

Rohm Semiconductor

查看详情 · 1 条候选
  • LT1963ET-3.3#06PBFAnalog Devices Inc.相似型号
原型号

INA332AIDGKRG4

Texas Instruments

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  • INA332AIDGKRTexas Instruments第三方标注：厂商推荐
原型号

LD6806TD/33H,125

NXP USA Inc.

查看详情 · 10 条候选

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  • XC6221A332MR-GTorex Semiconductor Ltd相似型号
原型号

LMV751M5X/NOPB

Texas Instruments

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号
原型号

LP38691DT-3.3

Texas Instruments

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  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

LP8340CDTX-3.3/NOPB

Texas Instruments

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  • BA33BC0FP-E2Rohm Semiconductor相似型号
原型号

MAX4074BJEUK-T

Analog Devices Inc./Maxim Integrated

查看详情 · 14 条候选

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  • OPA337NA/250Texas Instruments相似型号

技术资料参考

芯片技术资料

552 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

MSC400SMA330B4N

Microchip Technology

主要参数包括通道数 1 个通道、技术 碳化硅（SiC）、晶体管类型 1 N-Channel、类型 Power MOSFET、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 3.3 kV，采用 TO-247-4 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > SiC MOSFETs
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NFA33012L72

onsemi

主要参数包括技术 Si、最大集电极－发射极电压（VCEO） 1.2 kV、原产国家或地区 中国、高度 5.7 mm、长度 44.2 mm、最大工作温度 + 150 C，采用 SPMCA-27 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs
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NFVA33065L32

ON Semiconductor

主要参数包括认证等级 AEC-Q101。

半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Motor / Motion / Ignition Controllers & Drivers
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NFVA33065L32

onsemi

主要参数包括技术 Si、类型 3-Phase、最大集电极－发射极电压（VCEO） 650 V、原产国家或地区 韩国、最大工作温度 + 150 C、最小工作温度 - 40 C，采用 DIP-27 封装。

半导体 > 分立半导体 > Discrete & Power Modules > Intelligent Power Modules - IPMs
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OA4MPA33Q

STMicroelectronics

该型号为运算放大器，主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 56 mA、技术 CMOS、放大器类型 CMOS Amplifier、输入类型 Rail to Rail，采用 QFN-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Operational Amplifiers - Op Amps
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OA4ZHA33Q

STMicroelectronics

主要参数包括通道数 4 个通道、工作电源电压 5.5 V、每通道输出电流 18 mA、技术 CMOS、放大器类型 Zero Drift Amplifier、输入类型 Rail to Rail，采用 QFN-16 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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OPA330AID

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、每通道输出电流 5 mA、输入类型 Rail-to-Rail，采用 SOIC-8 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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OPA330AIDBVR

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、每通道输出电流 5 mA、输入类型 Rail-to-Rail，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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OPA330AIDBVRG4

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、每通道输出电流 5 mA、输入类型 Rail-to-Rail，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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OPA330AIDBVT

Texas Instruments

主要参数包括通道数 1 个通道、电源电压（最大值） 5.5 V、电源电压（最小值） 1.8 V、工作电源电压 1.8～5.5 V、每通道输出电流 5 mA、输入类型 Rail-to-Rail，采用 SOT-23-5 封装。

半导体 > 集成电路 > Amplifier ICs > Precision Amplifiers
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