IM2G04D2DBBG-25
Intelligent Memory Ltd.
- IM2G08D2DBBG-25Intelligent Memory Ltd.参数相近
技术资料参考
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Taiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 30 V、正向电压(Vf) 0.55 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & RectifiersTaiwan Semiconductor
该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 0.55 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 40 V、正向电压(Vf) 0.55 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 50 V、正向电压(Vf) 0.72 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 50 V、正向电压(Vf) 0.72 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.72 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 60 V、正向电压(Vf) 0.72 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 90 V、正向电压(Vf) 0.85 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括技术 Si、产品 Schottky Rectifiers、正向电流(If) 3 A、重复反向电压(Vrrm) 90 V、正向电压(Vf) 0.85 V、正向浪涌电流(Ifsm) 70 A,采用 SMA-2 封装。
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该型号为二极管,主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装(SMD/SMT)、击穿电压 11.1 V、工作电压 10 V、钳位电压 17 V,采用 DO-214AC-2 封装。
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