PBSS4032NT-QR
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 390 mW、增益带宽积（fT） 180 MHz，采用 SOT-23 封装。
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PBSS4032NX,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 145 MHz、连续集电极电流 4.7 A，采用 SOT-89-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032NX-QF
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SC-62-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032NXF
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该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 10 A、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V，采用 SC-62-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032NZ,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、增益带宽积（fT） 145 MHz、连续集电极电流 4.9 A，采用 SOT-223-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032NZ-QX
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 NPN、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 700 mW、增益带宽积（fT） 145 MHz，采用 SOT-223 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032PD,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 5 A、增益带宽积（fT） 104 MHz，采用 SC-74-6 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032PT,215
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、最大直流集电极电流 - 5 A、增益带宽积（fT） 160 MHz，采用 SOT-23-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032PT-QR
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、最大集电极－发射极电压（VCEO） 30 V、集电极－基极电压（VCBO） 30 V、发射极－基极电压（VEBO） 5 V、耗散功率（Pd） 1.1 W、增益带宽积（fT） 160 MHz，采用 SOT-23 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJTPBSS4032PX,115
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该型号为晶体管，主要参数包括晶体管极性 PNP、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） - 30 V、发射极－基极电压（VEBO） - 5 V、增益带宽积（fT） 115 MHz、连续集电极电流 - 4.2 A，采用 SOT-89-3 封装。
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