NVMYS3D3N06CLTWG
ON Semiconductor
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 60 V、连续漏极电流（Id） 133 A，采用 LFPAK-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFET搜索结果
原厂资料
11 条原型号记录
| 原型号 | 制造商 | 资料列出的替代型号 | 公告记录日期 | 资料 |
|---|---|---|---|---|
| NTLJS3D0N02P8ZTAG | onsemi |
| 2026-01-06 | 查看资料 |
| AS3D | Diodes Incorporated |
| 2025-07-23 | 查看资料 |
| U3D-E3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-E3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/57T | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| U3D-M3/9AT | Vishay |
| 2024-04-08 | 查看资料 |
| NTBGS3D5N06C | onsemi |
| 2023-12-22 | 查看资料 |
| S3DB | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| S3DBF | Diodes Incorporated |
| 2022-08-29 | 查看资料 |
| FDWS9508L-F085 | onsemi |
| 2021-12-21 | 查看资料 |
| FDB9506L-F085 | onsemi |
| 2021-04-08 | 查看资料 |
技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
查看技术资料
NVMYS3D5N04CTWG
ON Semiconductor
主要参数包括认证等级 AEC-Q101。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETRF2001NS3DFHTL
ROHM Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 10 A、配置 Dual Common Cathode、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 TO-263S-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRF2001NS3DTL
ROHM Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 300 V、正向电流（If） 10 A、配置 Dual、正向电压（Vf） 1.2 V、最大浪涌电流 100 A，采用 TO-263-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS3D R6
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS3D R6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS3D R7
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS3D R7G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 DO-214AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS3D V6G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > RectifiersRS3D V7G
Taiwan Semiconductor
主要参数包括类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 200 V、正向电流（If） 3 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.3 V、最大浪涌电流 100 A，采用 SMC-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers