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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
RS1K_HF	Diodes Incorporated	RS1K-13-F	2025-07-23	查看资料
AS1K	Diodes Incorporated	AS1M	2023-05-15	查看资料
DFLR1800-7	Diodes Incorporated	S1KP1M-7	2022-02-17	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

270 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

HS1KLHR2

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLHR2G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLHR3

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLHR3G

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLHRQ

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLHRQG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 150 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 Sub SMA 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLHRVG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括类型 Standard Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V、最大浪涌电流 30 A，采用 SMA-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLW RQG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。

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HS1KLW RVG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。

半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > Rectifiers

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HS1KLWHRQG

Taiwan Semiconductor

主要参数包括工作温度范围 - 55 C to + 175 C、类型 Fast Recovery Rectifiers、反向电压（Vr） 800 V、正向电流（If） 1 A、配置 Single、正向电压（Vf） 1.7 V，采用 SOD-123W-2 封装。

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