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Infineon Technologies
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芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
MPFS460TS-1FCG1152I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 667 MHz、嵌入式存储容量 31.6 Mbit、工作电源电压 1 V, 1.05 V、内核 RISC-V、内核数 1 Core、逻辑单元数 461000 LE。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Systems on a Chip - SoC > SoC FPGAMPFS460TS-FCG1152I
Microchip Technology
该型号为现场可编程门阵列（FPGA），主要参数包括最大时钟频率 625 MHz、嵌入式存储容量 31.6 Mbit、工作电源电压 1 V, 1.05 V、内核 RISC-V、内核数 1 Core、逻辑单元数 461000 LE。
半导体 > 嵌入式处理器与控制器 > Systems on a Chip - SoC > SoC FPGAMSMCG10A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 11.1 V、工作电压 10 V、钳位电压 17 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG10AE3/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 11.1 V、工作电压 10 V、钳位电压 17 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG10CA/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 11.1 V、工作电压 10 V、钳位电压 17 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG10CAE3/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Bidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 11.1 V、工作电压 10 V、钳位电压 17 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG12A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 13.3 V、工作电压 12 V、钳位电压 19.9 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG150A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 167 V、工作电压 150 V、钳位电压 243 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG15A/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 16.7 V、工作电压 15 V、钳位电压 24.4 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD SuppressorsMSMCG15AE3/TR
Microchip / Microsemi
该型号为二极管，主要参数包括通道数 1 个通道、极性 Unidirectional、端接方式 表面贴装（SMD/SMT）、击穿电压 16.7 V、工作电压 15 V、钳位电压 24.4 V，采用 DO-215AB-2 封装。
半导体 > 分立半导体 > Diodes & Rectifiers > TVS Diodes / ESD Suppressors