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原型号	制造商	资料列出的替代型号	公告记录日期	资料
BC847BLP4-7	Diodes Incorporated	BC847BLP4-7B	2021-03-15	查看资料
BC847BV-13	Diodes Incorporated	BC847BVC-7	2021-03-15	查看资料
BC847BV-7	Diodes Incorporated	BC847BVC-7	2021-03-15	查看资料
BC847BVC-7-F	Diodes Incorporated	BC847BVC-7	2021-03-15	查看资料
DN0150ALP4-7	Diodes Incorporated	BC847BLP4-7B	2021-03-15	查看资料
DN0150ALP4-7B	Diodes Incorporated	BC847BLP4-7B	2021-03-15	查看资料
DN0150BLP4-7	Diodes Incorporated	BC847BLP4-7B	2021-03-15	查看资料
DN0150BLP4-7B	Diodes Incorporated	BC847BLP4-7B	2021-03-15	查看资料

技术资料参考

芯片技术资料

153 条型号记录

型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。

ON Semiconductor

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

onsemi

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大直流集电极电流 100 mA、最大集电极－发射极电压（VCEO） 45 V、集电极－基极电压（VCBO） 50 V，采用 SOT-323-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT

Toshiba

该型号为晶体管，主要参数包括技术 Si、晶体管极性 NPN、配置 Single、最大集电极－发射极电压（VCEO） 50 V、集电极－基极电压（VCBO） 60 V、发射极－基极电压（VEBO） 6 V，采用 SOT-23-3 封装。

半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > Bipolar Transistors - BJT