原型号
查看详情 · 1 条候选ATMEGA88A-CCU
Microchip Technology
- ATMEGA88PA-CCUMicrochip Technology参数相近
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技术资料参考
芯片技术资料
型号、规格和文档仅供核对，不代表库存、价格、交期、供货或替代结论。资料来源见详情页。
RFCA8890TR13
Qorvo
主要参数包括原产国家或地区 美国、型号别名 RFCA8890。
半导体 > Amplifier ICs > Transimpedance AmplifiersSIRA88BDP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 40 A、漏源导通电阻（Rds On） 5.5 mOhms，采用 PowerPAK SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSIRA88DP-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 45.5 A，采用 PowerPAK-SO-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSISA88DN-T1-GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 30 V、连续漏极电流（Id） 40.5 A、漏源导通电阻（Rds On） 6.7 mOhms，采用 PowerPAK-1212-8 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSMA88
MACOM
RF Amplifier 5-500MHz NF 3.5dB Gain 18.0dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSMA88-1
MACOM
RF Amplifier 5-300MHz NF 3.8dB Gain 18.5dB
半导体 > Wireless & RF Semiconductors > Wireless & RF Integrated Circuits > RF AmplifierSQJA88EP-T1_GE3
Vishay / Siliconix
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 40 V、连续漏极电流（Id） 30 A，采用 PowerPAK-SO-8L-4 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETSTWA88N65M5
STMicroelectronics
主要参数包括通道数 1 个通道、技术 Si、晶体管类型 1 N-Channel、晶体管极性 N-Channel、漏源击穿电压（Vds） 650 V、连续漏极电流（Id） 84 A，采用 TO-247-3 封装。
半导体 > 分立半导体 > 晶体管 > MOSFETTEA88182T/1J
NXP Semiconductors
该型号为电源管理器件，主要参数包括原产国家或地区 中国、型号别名 935308807118。
半导体 > Power Management ICs > Power Management Specialized - PMICTPS7A8801QRTJRQ1
Texas Instruments
该型号为低压差线性稳压器（LDO），主要参数包括输出电压 Adj、输出电压范围 0.8～5.15 V、输出电流 1 A、工作温度范围 - 40 C to + 140 C、输出类型 Adjustable、类型 Low Noise LDO，采用 QFN-20 封装。
半导体 > 集成电路 > Power Management ICs > Voltage Regulators & Voltage Controllers > LDO Voltage Regulators